設計和合成具有特定形貌和高活性晶 面暴露的無機半導體納米材料受到了研究者的廣 泛關(guān)注。在各種半導體材料中，二氧化鈦(TiO2)作 為一種寬禁帶半導體，因具有生物和化學惰性、成 本低、光生空穴的氧化能力強以及對光化學腐蝕的 長期穩(wěn)定性等優(yōu)點，被認為是最有前途的光催化劑 之一 。電熱恒溫鼓風干燥箱(HGZE?Ⅱ/H? 101?1型，上海躍進醫(yī)療器械有限公司)、磁力加熱攪 拌器(HJ?4型，金壇市城西崢嶸實驗儀器廠)、箱式高 溫燒結(jié)爐(KSL?1400X?A1 型，合肥科晶材料技術(shù)有 限公司)、電子天平(ESJ200?4型，沈陽龍騰電子有限 公司)、超聲波清洗器(JP?020型，深圳市潔盟清洗設 備有限公司).

    對于NO?TiO2樣品，在方塊狀 晶體的上表面觀察到晶面間距為0.353 nm的2組晶 格條紋，對應于銳鈦礦型 TiO2(101)和(011)晶面，且 該組條紋平行于方塊狀晶體的 4 個側(cè)面，表明方塊 狀晶體的4個側(cè)面和上下表面分別暴露的是{101}晶 面和晶面。光致發(fā)光光譜能夠揭示光催化劑中載流子(電 子和空穴)的遷移和缺陷的形成，有助于了解載流子 在光催化劑表面的重組速率。制備的 FA? TiO2、HAc?TiO2、HF?TiO2、NO?TiO2和商業(yè)化 BD?TiO2 在 320 nm 激發(fā)下的光致發(fā)光光譜，可以看出，所有 樣品的光致發(fā)光光譜曲線基本一致。TiO2樣品的穩(wěn) 態(tài)熒光光譜在 398、408、437、449、468、481、492 和 553 nm 處有強烈的發(fā)射峰。